BFG425W
Symbol Micros:
TBFG425w
Obudowa: SOT343
Tranzystor NPN; 120; 135mW; 4,5V; 30mA; 25GHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 135mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Częstotliwość graniczna: | 25GHz |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT343 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 4,5V |
| Moc strat: | 135mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
| Częstotliwość graniczna: | 25GHz |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT343 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 4,5V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |