BFP196WH6327

Symbol Micros: TBFP196w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT343
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor NPN; Bipolar; 140; 12V; 7.5GHz; 150mA; 700mW; -65°C~150°C; Odpowiedniki: BFP196WNH6327XTSA1; BFP196WH6327XTSA1; BFP196WH6740XTSA1; BFP196WH6327; BFP196WE6327; BFP196WH6740;
Parametry
Moc strat: 700mW
Częstotliwość graniczna: 7,5GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT343
Maksymalny prąd kolektora: 700mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Producent: Infineon Symbol producenta: BFP196WH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT343 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6350 0,4220 0,3520 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BFP196WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT343  
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 700mW
Częstotliwość graniczna: 7,5GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT343
Maksymalny prąd kolektora: 700mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta