BFP420

Symbol Micros: TBFP420
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SMD-4
Tranzystor NPN; 130; 210mW; 4,5V; 60mA; 25GHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BFP420FH6327XTSA1; BFP420H6327XTSA1; BFP420FE6327XT;
Parametry
Moc strat: 210mW
Częstotliwość graniczna: 25GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 130
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SMD-4
Maksymalny prąd kolektora: 60mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Producent: Infineon Symbol producenta: BFP420 RoHS Obudowa dokładna: SMD-4 karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2000 0,6550 0,4300 0,3710 0,3420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Infineon Symbol producenta: BFP420FH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SMD-4  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5976
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BFP420H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SMD-4  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8114
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 210mW
Częstotliwość graniczna: 25GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 130
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SMD-4
Maksymalny prąd kolektora: 60mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 4,5V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN