BFR181WH6327XTSA1

Symbol Micros: TBFR181w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; Bipolar; 140; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327;
Parametry
Moc strat: 175W
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 20mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR181WH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0100 0,5580 0,3710 0,3090 0,2880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 175W
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 140
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 20mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 12V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta