BFR182WH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBFR182w
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Odpowiednik: BFR182WH6327;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 8GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 35mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR182WH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5210 | 0,3460 | 0,2890 | 0,2690 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR182WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2690 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR182WH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2690 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 8GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 35mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |