BFR193E6327HTSA1

Symbol Micros: TBFR193
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
NPN 12V 0.8A 0.58W BFR193E6327; BFR193;
Parametry
Moc strat: 580mW
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT-23
Maksymalny prąd kolektora: 80mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
980 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1000 0,5840 0,4520 0,4180 0,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
4300 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
603000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 580mW
Częstotliwość graniczna: 8GHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT-23
Maksymalny prąd kolektora: 80mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN