BFR193E6327HTSA1
Symbol Micros:
TBFR193
Obudowa: SOT23
NPN 12V 0.8A 0.58W BFR193E6327; BFR193;
Parametry
Moc strat: | 580mW |
Częstotliwość graniczna: | 8GHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | INFINEON |
Obudowa: | SOT-23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 80mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
980 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,1000 | 0,5840 | 0,4520 | 0,4180 | 0,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
4300 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BFR193E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
603000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,4000 |
Moc strat: | 580mW |
Częstotliwość graniczna: | 8GHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
Producent: | INFINEON |
Obudowa: | SOT-23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 80mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |