BFU530AR
Symbol Micros:
TBFU530ar
Obudowa: TO236-3 AB =>SOT23-3
Tranzystor NPN; 200; 450mW; 16V; 65mA; 11GHz; -40°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 450mW |
| Częstotliwość graniczna: | 11GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | TO236-3 AB =>SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 65mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 16V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BFU530AR RoHS
Obudowa dokładna: TO236-3 AB =>SOT23-3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6600 | 0,9180 | 0,7250 | 0,6580 | 0,6370 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BFU530AR
Obudowa dokładna: TO236-3 AB =>SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1730 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BFU530AR
Obudowa dokładna: TO236-3 AB =>SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
20250 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9030 |
| Moc strat: | 450mW |
| Częstotliwość graniczna: | 11GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 200 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | TO236-3 AB =>SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 65mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |