BFU590GX
Symbol Micros:
TBFU590g
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 130; 2W; 16V; 300mA; 8,5GHz; -40°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 8,5GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 130 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 16V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BFU590GX RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
83 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 96+ | 384+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,3800 | 4,4700 | 3,8000 | 3,4800 | 3,3600 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BFU590GX
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3600 |
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 8,5GHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 130 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 300mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |