BS107P DIODES

Symbol Micros: TBS107
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 30Ohm
Maksymalny prąd drenu: 120mA
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: TO92
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BS107P RoHS Obudowa dokładna: TO92 karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BS107P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BS107P Obudowa dokładna: TO92  
Magazyn zewnetrzny:
7891 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 30Ohm
Maksymalny prąd drenu: 120mA
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: TO92
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT