BS107P DIODES
Symbol Micros:
TBS107
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 30Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
Maksymalna tracona moc: | 500mW |
Obudowa: | TO92 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BS107P RoHS
Obudowa dokładna: TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,5400 | 2,2400 | 1,7700 | 1,6100 | 1,5400 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BS107P RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,5400 | 2,2400 | 1,7700 | 1,6100 | 1,5400 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BS107P
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnetrzny:
7891 szt.
ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,5400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 30Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
Maksymalna tracona moc: | 500mW |
Obudowa: | TO92 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |