BSC010N04LS
Symbol Micros:
TBSC010n04lsatma1
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010N04LSATMA1; BSC010N04LS;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 139W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC010N04LSATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3280 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC010N04LSATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2348 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 139W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |