BSC016N06NS
Symbol Micros:
TBSC016n06ns
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2,9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 139W |
Obudowa: | TDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC016N06NS RoHS
Obudowa dokładna: TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
64 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 11,0300 | 8,7500 | 7,9100 | 7,4800 | 7,3500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,3500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,3500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2,9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 139W |
Obudowa: | TDSON08 |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |