BSC016N06NS
Symbol Micros:
TBSC016n06ns
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 139W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC016N06NS RoHS
Obudowa dokładna: TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
44 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,0300 | 8,7500 | 7,9100 | 7,4800 | 7,3500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,3500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,3500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 139W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |