BSC016N06NS

Symbol Micros: TBSC016n06ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 139W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC016N06NS RoHS Obudowa dokładna: TDSON08 karta katalogowa
Stan magazynowy:
64 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,0300 8,7500 7,9100 7,4800 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 139W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD