BSC027N04LSG
Symbol Micros:
TBSC027n04lsg
Obudowa: TDSON-8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC027N04LSG RoHS
Obudowa dokładna: TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5600 | 3,0300 | 2,5100 | 2,2600 | 2,1700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC027N04LSGATMA1
Obudowa dokładna: TDSON-8
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC027N04LSGATMA1
Obudowa dokładna: TDSON-8
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |