BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TBSC040n08ns5
Obudowa: TDSON-8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC040N08NS5ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna: TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6800 | 3,9800 | 3,3800 | 3,0900 | 2,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC040N08NS5ATMA1
Obudowa dokładna: TDSON-8
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |