BSC0909NSATMA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSC0909ns
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 27W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 34V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC0909NS RoHS
Obudowa dokładna: TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1800 | 1,2100 | 0,9530 | 0,8990 | 0,8700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC0909NSATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,8mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 27W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 34V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |