BSC123N08NS3 G

Symbol Micros: TBSC123n08ns3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 24mOhm; 55A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC123N08NS3GATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 55A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC123N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1952
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSC123N08NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0359
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 55A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TDSON08
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 80V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta