BSC340N08NS3GATMA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSC340n08ns3
Obudowa: TDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 66mOhm; 23A; 32W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 23A |
| Maksymalna tracona moc: | 32W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC340N08NS3GATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
3125000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3729 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSC340N08NS3GATMA1
Obudowa dokładna: TDSON08
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt.
| ilość szt. | 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8044 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 23A |
| Maksymalna tracona moc: | 32W |
| Obudowa: | TDSON08 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |