BSD214SN Infineon
Symbol Micros:
TBSD214sn
Obudowa: SOT363
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD214SNH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 40+ | 147+ | 588+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4800 | 0,9630 | 0,7090 | 0,6110 | 0,5680 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD214SNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5680 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |