BSD235CH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSD235c
Obudowa: SOT363
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 950mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD235CH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3635 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1800 | 0,6260 | 0,4850 | 0,4480 | 0,4290 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD235CH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
327000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4290 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD235CH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4290 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD235CH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4290 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 950mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |