BSD235NH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSD235nh
Obudowa: SOT363
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 225mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 950mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD235NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1700 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,6180 | 0,4100 | 0,3430 | 0,3190 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD235NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3190 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 225mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 950mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |