BSD840N
Symbol Micros:
TBSD840n
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 880mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD840NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9450 | 0,5230 | 0,3470 | 0,2900 | 0,2700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSD840NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
1119000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 880mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT363 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |