BSH108
Symbol Micros:
TBSH108
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 240mOhm; 1,9A; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH108,215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSH108 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
360 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2180+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9100 | 0,5020 | 0,3330 | 0,2770 | 0,2600 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSH108 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
1500 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9100 | 0,5040 | 0,3340 | 0,2790 | 0,2600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH108,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3292 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH108,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3135 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 240mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |