BSH201
Symbol Micros:
TBSH201
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,25Ohm; 300mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH201,215; BSH205.215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,25Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 417mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSH201,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2520 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1600 | 0,6130 | 0,4750 | 0,4380 | 0,4200 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH201,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4200 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH201,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4200 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH201,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
273000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,25Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 417mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |