BSH203
Symbol Micros:
TBSH203
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 8V; 1,65Ohm; 470mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH203,215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,65Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 470mA |
| Maksymalna tracona moc: | 417mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSH203,215 RoHS WJ.
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
190 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,6720 | 0,4410 | 0,3980 | 0,3510 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSH203,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3510 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,65Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 470mA |
| Maksymalna tracona moc: | 417mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |