BSL211SPH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSL211sp
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL211SPH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSL211SPH6327 RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7300 | 1,1300 | 0,8100 | 0,7080 | 0,6640 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSL211SPH6327XTSA1
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6640 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |