BSL215CH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSL215c
Obudowa: TSOP06
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSL215CH6327 RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9500 | 1,1800 | 0,9060 | 0,8180 | 0,7780 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSL215CH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4260 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9500 | 1,1800 | 0,9060 | 0,8180 | 0,7780 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSL215CH6327XTSA1
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7780 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSL215CH6327XTSA1
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7780 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |