BSL308CH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSL308c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOP06
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm/130mOhm; 2,3A/2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSL308CL6327HTSA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 130mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,3A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: TSOP06
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSL308CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6154
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 130mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,3A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: TSOP06
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD