BSN20-7
Symbol Micros:
TBSN20-7 Diodes
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
Maksymalna tracona moc: | 600mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSN20-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2255 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8100 | 0,4110 | 0,2490 | 0,1970 | 0,1800 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSN20-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
303000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1853 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSN20-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1876 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSN20-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1880 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
Maksymalna tracona moc: | 600mW |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | DIODES |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 50V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |