BSP125

Symbol Micros: TBSP125
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 60Ohm
Maksymalny prąd drenu: 120mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP125-L6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP125H6433XTMA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 60Ohm
Maksymalny prąd drenu: 120mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta