BSP129H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSP129
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223-3
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1775 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 20Ohm
Maksymalny prąd drenu: 350mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223-3
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 240V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD