BSP135
Symbol Micros:
TBSP135
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP135H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5600 | 5,0000 | 4,1400 | 3,6300 | 3,4500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP135H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP135H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP135H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |