BSP149
Symbol Micros:
TBSP149
Obudowa: SOT223-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 660mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223-3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223-3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0000 | 2,5100 | 2,0900 | 1,8600 | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0000 | 2,5100 | 2,0900 | 1,8600 | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223-3
Magazyn zewnętrzny:
297000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223-3
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP149H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223-3
Magazyn zewnętrzny:
4475 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1606 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 660mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223-3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |