BSP170P
Symbol Micros:
TBSP170p
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP170PH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
155000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP170PH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP170PH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
5625 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |