BSP171P
Symbol Micros:
TBSP171
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP171P H6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1580 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9700 | 1,8800 | 1,4800 | 1,3500 | 1,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP171PH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,5900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP171PH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
34000 szt.
| ilość szt. | 25+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,5900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |