BSP295
Symbol Micros:
TBSP295
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP295H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
446000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8075 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP295H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9347 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP295H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
16275 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1577 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |