BSP297

Symbol Micros: TBSP297
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP297 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9000 1,8200 1,5100 1,3500 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
6981 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
10575 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD