BSP297
Symbol Micros:
TBSP297
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 660mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP297 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,9000 | 1,8200 | 1,5100 | 1,3500 | 1,2600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP297H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
6981 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP297H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
10575 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 660mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |