BSP315P

Symbol Micros: TBSP315p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223t/r
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,4Ohm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,17A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP315PH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6300 2,3000 1,8200 1,6500 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Magazyn zewnętrzny:
207000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Magazyn zewnętrzny:
10775 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,17A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223t/r
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta