BSP322P Infineon
Symbol Micros:
TBSP322p
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP322PH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1900 | 1,2200 | 0,9600 | 0,9050 | 0,8760 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP322PH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
7000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8760 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP322PH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8760 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |