BSP372
Symbol Micros:
TBSP372
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP372N H6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5500 | 1,6000 | 1,3300 | 1,1900 | 1,1100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP372NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
506000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP372NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
248000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP372NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1942 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |