BSP373
Symbol Micros:
TBSP373
Obudowa: SOT223
N-MOSFET 1.7A 100V 1.8W 0.3Ω BSP373NH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP373NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7424 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP373NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8488 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP373NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7130 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |