BSP52T1G ONS
Symbol Micros:
TBSP52
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 2000; 1,25W; 80V; 1A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP52; BSP52-FAI; BSP52,115; BSP52H6327XTSA1; SP000748886; BSP52T3G;
Parametry
| Moc strat: | 1,25W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 2000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSP52T1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1214 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4500 | 0,7990 | 0,6280 | 0,5820 | 0,5580 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSP52T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5580 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSP52T1G
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5580 |
| Moc strat: | 1,25W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 2000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |