BSP52T1G ONS

Symbol Micros: TBSP52
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 2000; 1,25W; 80V; 1A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP52; BSP52-FAI; BSP52,115; BSP52H6327XTSA1; SP000748886; BSP52T3G;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BSP52T1G RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
402 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,7300 0,9600 0,7580 0,6880 0,6660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,25W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta