BSP62,115
Symbol Micros:
TBSP62
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 2000; 1,5W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP62,115; BSP62H6327XTSA1; BSP62.115; BSP62H6327TR; BSP 62 H6327; BSP 62 H6327 TR; BSP62H6327XTSA1; BSP62;
Parametry
| Moc strat: | 1,5W |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 2000 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSP62,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9300 | 1,1700 | 0,9000 | 0,8120 | 0,7730 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSP62,115
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7730 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSP62,115
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7730 |
| Moc strat: | 1,5W |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 2000 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |