BSP75

Symbol Micros: TBSP75N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
N-MOSFET 1.1A 60V 1.6W 0.5Ω BSP75N BSP75NTA BSP75NHUMA1
Parametry
Rezystancja drenu (Rds on): 6 Ohm
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 240V
Prąd drenu: 350mA
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP75NHUMA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
28000 szt.
ilość szt. 4000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,7809
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja drenu (Rds on): 6 Ohm
Moc: 1,8W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 240V
Prąd drenu: 350mA
Typ tranzystora: N-MOSFET

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta