BSP76E6433HUMA1

Symbol Micros: TBSP76
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 42V; 12V; 200mOhm; 1.4A; 3.8W; -40°C~150°C; Odpowiednik: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 3,8W
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 42V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP76E6433HUMA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,7200 4,9800 4,3600 4,0500 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
15740 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 3,8W
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 42V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta