BSP88H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSP88h
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 15Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 15Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP88H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0000 | 1,1100 | 0,8760 | 0,8260 | 0,8000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP88H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSP88H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 15Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 350mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 240V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |