BSR16
Symbol Micros:
TBSR16
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 350mW; 60V; 800mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR16-FAI;
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSR16 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2600 | 0,6990 | 0,4640 | 0,3880 | 0,3610 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BSR16
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3610 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: BSR16
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3610 |
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |