BSR16,215
Symbol Micros:
TBSR16 NXP
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 300; 250mW; 60V; 600mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR16,215; BSR16215; BSR16.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BSR16,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9700 | 0,5360 | 0,3560 | 0,2970 | 0,2770 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSR16,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2770 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BSR16,215
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
567000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2770 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |