BSS123

Symbol Micros: TBSS123 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000mΩ BSS123-YAN
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT-23
Producent: YFW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: YFW Symbol producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
5000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3140 0,1210 0,0590 0,0469 0,0448
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-05-10
Ilość szt.: 6000
Rezystancja otwartego kanału: 6Ohm
Maksymalny prąd drenu: 170mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SOT-23
Producent: YFW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD