BSS123 SA SOT23 HT SEMI
Symbol Micros:
TBSS123 HT
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HT |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: HT SEMI
Symbol producenta: BSS123 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
12000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2700 | 0,1040 | 0,0507 | 0,0403 | 0,0385 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 360mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HT |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |