BSS123NH6327XTSA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSS123n
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123NH6433XTMA1; BSS123NH6327; BSS123NH6327XTSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS123NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
7251000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1329 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS123NH6433XTMA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
1183999 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1372 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BSS123NH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1384 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 190mA |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |