BSS123W-7-F Diodes INCORPORATED
Symbol Micros:
TBSS123w
Obudowa: SOT323
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123W; BSS123W-TP;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS123W-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2875 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8820 | 0,4470 | 0,2710 | 0,2150 | 0,1960 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS123W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
597000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1960 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS123W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1960 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BSS123W-7-F
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1960 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 170mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |